분류
2022
작성일
2025.08.11
수정일
2025.08.11
작성자
김두리
조회수
9

Hysteretic behavior of all CVD h-BN/graphene/h-BN heterostructure field-effect transistors by interfacial charge trap

논문제목 : Hysteretic behavior of all CVD h-BN/graphene/h-BN heterostructure field-effect transistors by interfacial charge trap


학술지명 : Surfaces and Interfaces


저자 : 


활용유형 : 장비활용


게재년월 : 2022-12-28


 

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